横向高压器件相关论文
高压BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺将Bipolar器件、CMOS器件、DMOS功率器件同时制作在同一芯片上,综合了三类器件各自的优点,使得设计......
本文提出了一种新型的横向高压器件结构,并对其进行了耐压分析,结果表明,该结构具有与RESURF器件相媲美的击穿电压,并且工艺简单,受工艺......
本文针对横向高压器件LDMOS和UGBT的串联结构特性以及其原理进行了分析和仿真.改进的结构在不影响LIGBT的正向导通特性的前提下,不仅......
本文提出了一种新型的横向高压器件结构,并对其进行了耐压分析,结果表明,该结构具有与RESURF器件相媲美的击穿电压,并且工艺简单,受工艺......
能够在高压状态下工作的功率器件是近些年来集成电路技术发展的一个重要分支。尤其在显示和通讯领域,耐高压、低消耗、低失真、易集......
提出一种用于横向高压器件的曲率结扩展技术,并在横向双扩散MOSFET(LDM0s)上进行了实验验证。该技术采用一个轻掺杂的p-sub层,插入LDMO......