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本文对低功耗设计中的主要漏流产生原因做了详细的论述,为了解决静态存储器的静态功耗,提出了有效降低存储单元的静态功耗的设计技......
研究了Ni-Ho合金法制备全硅化物金属栅工艺以及Ho合金对栅电极薄层电阻和功函数的影响。随Ho浓度从0%加到10%和30%,形成的全硅化......
本文首先简要介绍了国际上X射线光刻技术在GaAs器件及电路制造中的研究进展情况,再对目前国内X射线光刻技术的研究状况进行了较为......
该文首次提出三镀层制作双频电子束云纹光栅的新工艺,文中对制栅工艺的原理、过程进行了探讨。本制栅工艺适用于制作0.1μm至25μm......
针对0.5μm氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)自对准T型栅工艺,提出一种优化的解决方案。在感应耦合等离子体设备中引入两段法完......