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研究了Ni-Ho合金法制备全硅化物金属栅工艺以及Ho合金对栅电极薄层电阻和功函数的影响。随Ho浓度从0%加到10％和30％,形成的全硅化物金属栅的薄层电阻从1.4Ω/□分别增加到1.8Ω/□和3.1Ω/□,平带电压从-0.31V减小到-0.50V和-0.58V,这可归因于Ho元素引起的功函数降低。