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4H-SiC作为第三代半导体材料,具有优异的材料特性,比如具有较宽的带隙,较高的导热性,较大的击穿场强和较高的饱和电子迁移率。这些......
多晶硅薄膜晶体管具有独特的栅电容特性,即泄漏区中栅源电容的反常增大和饱和区中栅漏电容由于kink效应的增大。基于Meyer模型,考......
提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构（DMG-LDMOS），并给出了工艺实现方法。此结构采用了栅工程的概念，所设计的栅电极由S-......
