氧化锌纳米阵列相关论文
氧化锌是一种重要的直接宽禁带半导体材料,室温下其禁带宽度为3.37 eV和较大的激子束缚能(~60 meV)。同时它也是一种多功能氧化物......
氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ—Ⅵ族直接、宽禁带化合物半导体材料，具有优越的光电性质。室温下，ZnO具有高的激子束缚能(60 meV)，N型导电性易......
纳米ZnO在光电子器件和微电子器件等领域具有广泛的应用前景,而目前纳米ZnO阵列粒度分布均匀性、高密度、结晶性能还达不到纳米ZnO......
短波光源在高密度信息存储、光刻技术和照明系统中均有广泛应用,对其性能的要求也越来越高,ZnO的发光波长比GaN更短,发光能量更高,......
以有机共轭聚合物或有机-无机杂化钙钛矿为光吸收材料及无机纳米结构为电子受体和传输材料组成的杂化太阳电池，将有机与无机材料的......
多孔氧化铝膜由于其具有独特结构而被广泛用于各种纳米阵列结构材料的制备，而其本身在光学器件和薄膜发光器件中也具有广泛的应用前......
氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带(Eg=3.37ev)半导体材料，其激子束缚能高达60meV。可控制生长的ZnO纳米阵列被认为在太阳能电池，光催化......
半导体量子点纳米晶由于量子尺寸效应、量子限域效应、碰撞离子化效应、迷你能带效应等一系列低维量子特性而具有独特的光学、电学......
氧化锌(Zn O)作为锂离子电池负极材料,主要有储量丰富、价格低廉、安全性高、理论比容量高(978 m Ah/g)等优点,因而受到研究者们的......
随着能源危机和环境污染问题的日益突出，寻找绿色、可再生的新能源替代化石能源日益迫切。氢能源作为一种清洁可循环的能源吸引了人......
采用物理气相沉积的方法通过控制生长参数,在硅衬底上获得不同形貌的氧化锌纳米阵列.在金属场发射系统中测量了它们的场致电子发射......
纤锌矿结构的氧化锌纳米棒阵列,同时具有半导体性能和压电效应,在很多领域有着广阔的应用前景。本文选用锌基底上c轴择优取向的氧......
采用化学沉淀法，以硝酸锌和六次亚甲基四胺的水溶液为生长溶液，在涂覆氧化锌晶种层的玻璃衬底上制备了定向生长的氧化锌纳米棒阵列，并......
高度面向的 ZnO nanorod 数组成功地在铟听氧化物(ITO ) 上被准备用一个 galvanostatic 电极淀积方法的底层。ITO 底层是有经由简......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
采用物理气相沉积的方法通过控制生长参数,在硅衬底上获得不同形貌的氧化锌纳米阵列.在金属场发射系统中测量了它们的场致电子发射......
以六水合硝酸锌、四水合醋酸钴和六次亚甲基四胺为原料，采用化学沉淀法在预涂有氧化锌晶种的玻璃衬底上制备了氧化锌纳米薄膜，研究了......
