场发射相关论文
石墨相氮化碳(g-C3N4)具有物化性质稳定、生物相容性好等特点,另外其具有合适的导带及价带位置,凭借这些优势,g-C3N4在光催化领域显......
场致发射阵列阴极(FEA)又名冷启动阵列阴极,具有低功耗,高电流密度,启动速度快,寿命长等众多优点,在民用领域和军工领域应用甚广,如:......
早期真空电子器件的广泛应用,得益于其可以实现在高频段、大功率条件下工作的显著特性,但器件集成化的困难阻碍了它的进一步发展。......
以GaN为代表的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体由于具有带隙宽(Eg=3.39 eV)、低的功函数(4.1 eV),好的物理和化学稳定性,机械强度,以及低的电子......
场发射电子源具备束斑亮度高、能散小、功耗较低、可以瞬时启动等性能优势,是高端真空电子器件的核心组成部分,决定了真空电子学设......
显示器作为人机交换信息的界面或窗口,在信息社会中起着重要的作用。目前广泛应用的热阴极射线管(CRT)因不能与集成电路制造技术相兼......
MEMS技术的发展带动了一系列电子器件微型化,在真空器件领域也出现了许多微型化的真空电子器件,比如微型陀螺仪芯片等。虽然目前的......
X射线具有波长短、频率高、能量大的特征,有很强的穿透性。由于不同物体对X射线的吸收能力不同,X射线被广泛用于材料分析、医疗检......
场发射因其独特的冷阴极发射形式,并可广泛应用于平板显示、电子显微镜电子束源、X射线源等而受到了广泛关注。提升场发射性能的关......
利用微波等离子化学气相沉积的方法,制备出微米金刚石聚晶颗粒薄膜,通过扫描电镜、拉曼光谱、X射线实验,分析了薄膜的形貌与结构,......
碳纳米管(CNTs)从问世那一刻起,就吸引了全世界科学家的广泛关注。它具有很多独特的性能,比如一维纳米结构,优异的电学、化学和力学......
场致发射是依靠外电场的作用使材料表面势垒高度降低、宽度变窄,电子通过量子力学的隧道效应穿过或越过表面势垒而射入真空的现象......
阴极和收集极分别作为强流电子束起点和终点,对高功率微波源的性能具有重要影响。石墨是较好的爆炸发射阴极和强流电子束收集极材......
纳米金刚石具有优异的物理化学性质,有望成为理想的电子器件场发射阴极材料.本文利用纳米金刚石粉末配制出适用于热喷涂的浆料,采......
采用喷墨打印在ITO 上打印氧化锌图形种子层,再利用电沉积法制备氧化锌阵列阴极,研究不同沉积时间对氧化锌阵列形貌和场发射性能的......
可寻址纳米冷阴极电子源在平板显示、背光源、X 射线源等具有重要的应用前景[1]。 例如,采用可寻址纳米冷阴极电子源的平板 X 射源......
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜,红外光谱测试表明,所有样品为六角氮化硼(h-BN)结构.经过氢、氧等......
由于六硼化镧(LaB6)具有熔点高(2715℃)、导电性好、功函数低(2.66 eV)和热稳定性好等优异的物理化学特性,因而引起了研究者的广泛......
本文提出了一种新型的真空场发射晶体管(VFET),这种新型真空晶体管具有纳米尺度的真空沟道,以真空为载流子传输介质,器件工作时电子以......
碳纳米管阴极(Carbon nanotube,CNT)阴极因具有低功耗、无热效应、机械强度高、化学稳定性好、环境适应性强等特点,使其在取代热阴......
平板X 射线源在医学成像、工业探伤和安防等领域有重要的应用前景。在本工作中,我们研究了ZnO 纳米线的制备及其场发射特性,制备出可......
作为一种宽禁带半导体材料,由于氮化铝其特殊的物理和化学性质,其在真空电子器件方面的应用已经得到广泛的关注.据文献报道,氮化铝......
六硼化镧具有熔点高(2715℃)、导电性好、功函数低(2.66 eV)和热稳定性好等优异的物理特性,所以引起了研究者的广泛关注.而LaB6 纳......
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在SiC基底上制备了系列相同厚度的GaN纳米薄膜,并将其进行不同时间的退火并对其进行了微结构表征及场发......
场发射冷阴极作为一种新型电子发射源在诸如X 射线管、灯源、平板显示等各个领域都有广阔的应用前景,且大多数场发射阴极都是在碳材......
本文提出了一种可显著改善丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜场发射特性的浆料制备方法。该方法以乙基纤维素为制浆剂,以松油醇为溶剂,通过......
为了实现全彩色场发射显示,有必要去发展低电压和高电流密度下稳定性好,发光效率高,色纯度好的三基色荧光粉,尤其是合成一些高效的......
采用管式炉以等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法,以Au为催化剂,在n型(100) Si衬底上成功制备了纤锌矿结构的GaN纳米线。与传统的以......
分析认为适量的绝缘介质材料与CNT混合能够满足场发射的电子发射和传输要求,且通过分散CNT可增强其场发射因子。本文用5%的碳纳米管......
针对丝网印刷碳纳米管显示器存在发光均匀性和亮度低的问题,提出了一种制作碳纳米管/金属复合膜的方法。通过把低功函数铁镍纳米颗......
碳纳米管阴极平板显示是现代平扳显示新技术,是在纳米技术及碳纳米管研究基础上发展起来的。在碳纳米管平板显示器中,控制系统及驱......
我们利用真空磁过滤弧沉积(Filtered Arc Deposition,FAD)的方法成功地预先生长了金属层的玻璃基底上制备了类金刚石薄膜.通过离子......
该文研究了CVD金刚石膜场发射性质。金刚石膜是利用热灯丝化学气相沉积法制备的。实验研究表明,金刚石膜场发射阀值电压强烈的依赖......
在本考察了金刚石薄膜的成核密度对其场发射特性的影响,发现较低的成核密度有利于获得较好的发射特性;对发射曲线进行了拟合,并对所得......
利用脉冲激光沉积技术制备出了掺氮和未掺氮的类金刚石薄膜。采用X射线衍射仪、喇曼光谱仪、扫描电镜观察了掺氮和未掺氮类金刚石......
利用物理热蒸发法制备出大规模长径比为250∶1的ZnO纳米锥.然后,利用丝网印刷技术将由ZnO纳米锥和羧甲基纤维素混合好的浆料印刷到......
真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能.通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形......
作者利用FEM对单壁碳纳米管在热处理后场发射特性进行了测量,确定了清洁单壁碳纳米管的逸出功,观测了场发射图像的变化.利用四极质......
本文研究了金刚石薄膜的场发射特性.从金刚石薄膜自身的角度,研究了不同的晶体结构对场发射的影响;从金刚石薄膜和硅衬底的界面形......
本文在超高真空环境下通过高温处理在金属钨针尖上形成了碳化钨薄膜,对其场发射特性进行了测量,并估算了其逸出功.......
本文研究了氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同的基底偏压和不同的膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,使用高纯六角氮化硼(h-BN)靶,通......
采用PIC粒子模拟软件MAGIC模拟了共面双栅极金刚石薄膜FEAs的特性,在模拟时假设其结构为长条型,得到了该结构的电子轨迹、相空间图......
本文研究了纳米金刚石外延薄膜的制备方法及其场发射特性.采用电泳方法将粒径20nm以下的纳米金刚石微晶沉积到Ti电极衬底上,用热丝......
单壁碳纳米管的顶端表面结构对场发射特性有很大影响.本文作者利用场离子显微镜(FIM)观测了单壁碳纳米管的氦场离子显微镜像.......
在硅基底上利用低压化学气相沉积法生长出碳纳米管薄膜.基底上涂敷有一层氢氧化铁溶胶薄膜,氢氧化铁在氢气还原下成为纳米尺寸的催......
采用大功率高重复频率准分子激光溅射热解石墨靶制备了类金刚石膜,研究了直流辉光氢等离子体处理对膜的场发射性能的影响,发现氢等......
采用大功率高重复频率准分子激光在氢气氛中溅射热解石墨靶制备了含氢类金刚石膜,研究了含氢类金刚石膜的结构及场发射性能。发现......