氮化铝镓材料相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

氮化铝镓材料相关论文

AlGaN基深紫外激光器材料的MOCVD生长研究

AlxGa1-xN合金材料的禁带宽度可以在3.43eV～6.04eV之间连续可调，相应的带边辐射波长能够覆盖200～365nm的紫外波段，是实现该波段范围内......

学位

深紫外激光器氮化铝镓材料气相外延生长激射阈值

高性能AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备与研究

氮化镓(GaN)材料禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和漂移速度快、与AlGaN材料的异质结不掺杂即可形成高浓度的二维电子气、沟道......

学位

氮化镓材料氮化铝镓材料高电子迁移率晶体管 T形栅极欧姆接触电流增益截止频率

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