适合GaN氮化镓基材料生长的MOCVD设备

来源 :中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhq198709
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为了打破国外在MOCVD设备长期处于垄断,摆脱我国长期依赖进口的被动局面,我们在国家高技术发展计划("863"计划)的支持下,研制一台适合GaN基材料生长的MOCVD设备(3片1.5英寸衬底),以期建立MOCVD研发及产业化基地,使我国在此领域占有一席之地.本文介绍了该设备的基本设计思想.
其他文献
介绍了道尔洛特金矿在分段空场法中设计、投产和应用碎石胶结充填法的经验,详细讨论了碎石胶结充填与岩层控制和贫化控制的效能,同时介绍了使用这种充填方式的优缺点.
碳酸钾矿石的加工产生两种废料:离心分离物(盐)和滤饼(盐、硫酸钙和不溶粘土),目前所有加工废料均排入北海,由于不溶粘土中存在少量重金属,可排入该海的可溶废料的允许量在今后几年内将大大减少.克里弗兰德碳酸钾公司现已成功地实施一将滤饼废料以高浓度泥浆形式充填于矿山井下采空区的充填系统.该系统减少了矿山的环境影响,使矿山能以其最大潜力进行生产,甚至按照战略作业计划增加生产能力.该充填系统以大约1100m
近来建议把膏体回填技术作为一种地表尾砂管理方法来使用.地表膏体是遵守现行环保法规的一种既经济又安全的贮存方法.文章所述为研制一实验室小型模型,以模拟和研究地表膏体回填料处理的物理、地球化学和流体的流动特性.制备了由加拿大某金矿含硫化物尾砂与少量水泥(2%(重量)炉渣基粘结剂)配制的膏体混合物并加以淀积,然后按时间过程依次研究不同参数(体积含水量、基质吸水力、干燥龟裂、粘结剂浸出等)的演变.初步结果
为确定胶结剂对膏体充填长期强度变化的影响,对选厂尾砂进行了取样(尾砂试样T1和T2),并用PKC(波特兰水泥)/A32.5-R和PKC/B32.5-R两种胶结剂制备了膏体充填混合物.尾砂试样T1和T2选择了16.5mm的坍落度和5%(按重量计)的胶结剂用量制备一组膏体充填混合物试样,这些试样经过不同的养护期(3~360d)后再进行单轴抗压试验.两种膏体试样早期显示出高强度,但用PKC/B32.5-
许多研究人员研究过充填作为岩层支护要素的作用.为评价充填对采场稳定性的作用和为采场设计确定适当准则,了解岩石和充填体的相互作用是必不可少的.问题的复杂性在于计算机模拟和物理模拟难以恰当地描述,为使问题适应这些方法,必须作一些假定来简化问题,因此模型是否具有真实的代表性总有一些怀疑.为克服这些缺陷,详细而广泛的现场数据能更好地了解充填的效应.为研究矿山充填对采矿诱发应力应变的影响,作者进行了广泛研究
许多研究人员曾将充填作业作为地层支护的一个组成部分加以研究,由于充填体与岩体之间的相互作用非常复杂且难以模拟,加上地层条件的复杂特性、回采空间几何形状和回采顺序等因素的影响,开采过程诱发的应力情况难以预测.该问题的复杂程度很难用计算机模型或物理模型来充分描述.为改善这些不足,详细而广泛的现场数据可使人们对充填的影响有更好的了解.在现场对真实问题进行全面研究,也可以消除基于理论的研究而必须依靠的一些
澳大利亚地下采矿工业一直在持续推行充填法采矿技术.近些年来,西澳大利亚矿业学校为西澳大利亚的一些矿业公司完成了一些研究课题,借以确定经济上最合理和土工技术上最合适的充填方法.近年来的研究表明,充填材料的矿物组分和氧化程度以及水泥种类对充填体强度和充填质量都有很大影响.文章将评述在西澳大利亚两座大型地下矿山研究膏体胶结充填和水砂胶结充填工作中,有关现场实践和试验室试验的试验工作和充填质量问题.
本研究首先对比了AlGaN与NiAl电极形成欧姆接触的工艺.其次试验在AlGaN表面生长了8nm重掺GaN(1×10/cm)帽层,使源漏电极可以制作在禁带宽度较小的GaN上,期待进一步降低接触电阻.
本工作在3维空间中模拟了行星式水平MOCVD反应室生长GaN基材料的流场,热场,反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.通过计算结果与同样条件下的实验结果比较,发现两者吻合程序非常高,表明化学反应机理和计算方法是基本可靠的,能够以此来模拟和指导GaN基材料具体的MOCVD生长工艺.
本文采用我们自行设计组装具有自主知识产权的等离子体辅助MOCVD系统,以DEZn和O为生长源,在外延的GaN/AlO薄膜上生长出高质量的ZnO薄膜.