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氮化镓外延薄膜的制备相关论文
Al2O3/Si(001)衬底上GaN外延薄膜的制备
利用低压金属有机物化学气相沉积方法在Al2 O3 /Si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的GaN单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的GaN薄膜的 (......
期刊
氮化镓外延薄膜的制备
Al2O3/Si(001)衬底
金属有机物化学气相沉积
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