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氮氧钽铪界面层相关论文
HfO2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究
为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,Hf......
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