与体硅材料和器件比较，SOI具有许多独特的优越性，例如高开关速度、高密度、抗辐照、无闩锁效应等，因而被称为二十一世纪的微电子技术......

对不同制备工艺的SIMOX样品，用Raman散射法作了应力测量和比较．结果显示，在1300℃、6小时的退火条件下，整片单次注入／退火与三次注入／退......

绝缘衬底上的硅（Silicon-On-Insulator，简称SOI）在近年以来受到了人们的广泛关注。在未来，基于SOI的器件所具有的优异性能，它不但将会广......