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与体硅材料和器件比较,SOI具有许多独特的优越性,例如高开关速度、高密度、抗辐照、无闩锁效应等,因而被称为二十一世纪的微电子技术......
对不同制备工艺的SIMOX样品,用Raman散射法作了应力测量和比较.结果显示,在1300℃、6小时的退火条件下,整片单次注入/退火与三次注入/退......
绝缘衬底上的硅(Silicon-On-Insulator,简称SOI)在近年以来受到了人们的广泛关注。在未来,基于SOI的器件所具有的优异性能,它不但将会广......