用化学溶液沉积法, 以Al2O3为衬底在750℃温度下制备了锰钴镍铜Mn1.56Co(0.96-x)Ni0.48CuxO4系列薄膜.制备温度低于传统烧结工艺需......

本文从理论上剖析影响半导体激光器热特性的主要因素，包括：(1)俄歇复合几率的大小；(2)有源区的载流子泄漏；(3)价带间光吸收；(4)激光器有......

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为了解决半导体激光器在高温、高功率情况下工作时，出现的阈值电流升高，波长漂移，发光效率下降等问题，我们设计并制作了具有高特征温度......