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垂直双沟道场效应晶体管（VDMOS）产品制备过程，在生长完场氧化后，需要进行P+离子注入工艺，在注入之前生长的阻挡氧化层，通常称之为牺牲氧......
针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题，研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07nm......
对于栅挖槽的4H-SiC MESFET,栅肖特基接触的界面经过反应离子刻蚀,界面特性对于肖特基特性和器件性能至关重要.反应离子刻蚀的SiC......
半导体器件制备过程中,Si O2牺牲氧化层经常作为离子注入的阻挡层,用来避免Si材料本身直接遭受离子轰击而产生缺陷,牺牲氧化层在注......
沟槽功率MOSFET作为一种新型垂直结构器件,拥有开关速度快、频率性能好、输入阻抗高、驱动功率小、温度特性好、无二次击穿问题等......
