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垂直双沟道场效应晶体管（VDMOS）产品制备过程，在生长完场氧化后，需要进行P+离子注入工艺，在注入之前生长的阻挡氧化层，通常称之为牺牲氧化层，因为在注入完成之后，该氧化层需要被腐蚀去除，本文研究了牺牲氧化层的腐蚀工艺选择过程。
VDMOS产品牺牲氧化层BOE腐蚀工艺确定
【摘 要】
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垂直双沟道场效应晶体管（VDMOS）产品制备过程，在生长完场氧化后，需要进行P+离子注入工艺，在注入之前生长的阻挡氧化层，通常称之为牺牲氧化层，因为在注入完成之后，该氧化层需要被腐蚀
【机 构】
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无锡华润华晶微电子有限公司,无锡,214000;
【出 处】
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军民两用技术与产品
【发表日期】
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2014年13期
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