VDMOS产品牺牲氧化层BOE腐蚀工艺确定

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垂直双沟道场效应晶体管(VDMOS)产品制备过程,在生长完场氧化后,需要进行P+离子注入工艺,在注入之前生长的阻挡氧化层,通常称之为牺牲氧化层,因为在注入完成之后,该氧化层需要被腐蚀去除,本文研究了牺牲氧化层的腐蚀工艺选择过程。
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