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环形多晶硅栅结构相关论文
高耐压、大功率MOS集成电路关键器件的设计与工艺
为了提高MOS晶体管漏端P-N结的击穿电压,该文设计了一种环形多晶硅栅结构,并在漏P-N结靠沟道区一侧设置N〈’-〉区。并成功地进行了实验研究,获得......
会议
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