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为了提高ＭＯＳ晶体管漏端Ｐ－Ｎ结的击穿电压，该文设计了一种环形多晶硅栅结构，并在漏Ｐ－Ｎ结靠沟道区一侧设置Ｎ〈’－〉区。并成功地进行了实验研究，获得了满意的结果。所制成的ＭＯＳ管的漏Ｐ－Ｎ结击穿电压可以在３５￣７０Ｖ之间自由调节，输出电流可达４８ｍＡ以上。
高耐压、大功率MOS集成电路关键器件的设计与工艺
【摘 要】
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为了提高ＭＯＳ晶体管漏端Ｐ－Ｎ结的击穿电压，该文设计了一种环形多晶硅栅结构，并在漏Ｐ－Ｎ结靠沟道区一侧设置Ｎ〈’－〉区。并成功地进行了实验研究，获得了满意的结果。所制成的ＭＯＳ管的漏Ｐ－Ｎ结击穿电压可
【机 构】
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大学微电子学研究所(北京)
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年期
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