电学可靠性相关论文
与传统窄禁带半导体硅(Si)相比,宽禁带氮化镓(GaN)材料具有优良的物理特性,如强击穿电场、高电子迁移率、高电子饱和速度和高热导......
在学习集成电路的过程中发现,电路设计还要完成电学可靠性验证。所以,本文在分析集成电路电学可靠性的验证内容的基础上,对Compose......
由于氮化镓（GaN）材料具有大禁带宽度、强击穿电场、高电子迁移率和高饱和电子漂移速度等优越的物理特性,GaN基电子器件比硅基电子器......
对国际上有关铟镓锌氧化物薄膜晶体管中氢元素的来源、存在形式、表征方法以及对器件性能的影响进行了综述．氢元素是铟镓锌氧化物薄......
