二次击穿电流相关论文
研究了一种新的具有ESD自保护结构的SCR-LDMOS,它是通过在漏极加入P+扩散对传统LDMOS结构的改进.模拟了器件的击穿特性并分析了二......
静电放电(Electrostatic Discharge，简称ESD)保护设计一直是集成电路业界可靠性设计的重要难题，电源钳位ESD保护电路是全芯片ESD保护......
NMOS管I-V曲线在ESD（electrostatic discharges）脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB......
介绍了在强电流作用下的ggnMOS作用机理,分析了ggnMOS抗ESD能力的主要表征参数,利用X射线辐射系统和TLP测试系统研究了辐射总剂量......
针对金属硅化物亚微米工艺,研究当静电自保护输出驱动中NMOS器件的栅极处于不确定电压时的静电防护能力.在0.35μmCMOS工艺下,设计......
随着半导体工艺的进步,ESD(ElectroStatic Discharge,静电放电)对芯片的危害日益严重,对ESD的研究也因而越来越受到重视。仿真工具......
随着半导体芯片的制造工艺不断改进以及特征尺寸的减小,集成电路日益向小型化和高密度化发展,很容易遭受到静电放电(ESD)的影响。......
针对双向可控硅（DDSCR）器件的静电放电（ESD）鲁棒性,提出在N阱中加入N＋注入区（DDSCR_N＋）和在N阱中加入P＋注入区（DDSCR_P＋）2种改进型DDSCR结构,采......
