由于施加高栅极工作电压,使得器件容易发生重离子辐射损伤效应,其中,重大的重离子辐射损伤效应是单粒子栅穿效应（SEGR）和单粒子烧毁......

介绍了中小规模逻辑电路的单粒子效应实验。单粒子效应实验是在中国原子能科学研究院核物理国家实验室的ＨＩ－１３型串列加速器上完成的。用......

该文报道了利用北京大学串列静电加速器提供的重离子对两类静态随机存储器进行单粒子效应的研究，给出了两类静态随机存储器的单粒子......

宇航用功率VDMOS器件是航天器电源系统中实现功率转换的核心元器件之一.针对航天器对宇航用功率VDMOS器件的发展需求,在总结国内外......

辐射能量吸收率（REA）是一个与线性能量传输（LET）类似的物理量，可用于研究航天器在空间辐射环境中的安全问题。测量REA的设备要比测量LET......

在倒装芯片的单粒子效应防护设计验证中,重离子在到达器件敏感区前要经过几百微米的衬底材料,需要计算器件敏感区中离子的线性能量......

本文用MEDICI二维模拟软件对MOSFET的单粒子翻转现象进行了计算.力图从理论上,建立分析器件SEU(Single Event Upset)的可靠手段.通......

航天器件在空间环境中存在着单粒子效应,根据研究可知高温会提升单粒子效应的敏感性,因此为了更好地评估器件的抗辐射性能,有必要......

随着集成电路工艺的发展,传统平面CMOS器件随着尺寸的缩小,短沟道效应、源漏电荷共享和亚阈值特性衰退等等对器件的电学特性影响越......