界面声子相关论文
在高功率激光器内部激光工作物质和光学元件,窗口镀膜材料的设计中,传能光纤以及制导传感器抗激光致盲材料的设计中,对材料的抗激......
近年来,宽禁带纤锌矿结构半导体如ZnO、GaN、AlN及其合金等在微电子和光电子器件中的广泛应用,已成为半导体材料领域的研究热点,其......
随着材料生长技术进步与发展，各种低维半导体纳米材料，特别是量子点及其复合结构，由于其优异的特性，一直都是诸多学科领域的研究热点。......
Ⅲ-Ⅴ族氮化物GaN、InN、AlN及其合金材料是近年来半导体发光器件研究领域中的热点，其中一个十分重要的课题就是纤锌矿结构混日InGa......
研究了量子级联激光器有源核中界面声子的色散关系和静电势分布.根据有源核内部的平移不变性导出了界面声子的色散关系.计算显示有......
本文采用介电连续模型,讨论了晶格应变对材料的体光学声子频率、介电常数、禁带宽度和电子带质量的影响.对GaN/GaxIn1-xN异质结中......
近年来，宽禁带纤锌矿结构半导体如ZnO、GaN、AlN及其合金等在微电子和光电子器件中的广泛应用，已成为半导体材料领域的研究热点，其中......
根据介电连续模型和单轴晶体模型研究了纤锌矿量子阱中的界面声子模及其电声子相互作用的Fr?hlich哈密顿,我们计算和讨论了纤锌矿G......
首次讨论了强场下界面声子的增益。依据局域界面声子模的基本特征,即随离开界面距离,原子振幅呈衰减形式,用二次量子化方法,给出了......
在介电连续模型下,运用传递矩阵的方法研究多层球形异质结中的界面光学声子,得出了多层球形异质结中的界面光学声子的本征模解、色......
根据介电连续模型和单轴晶体模型，运用传递矩阵的方法研究了纤锌矿量子阱中的界面声子，并且计算和讨论了纤锌矿GaN／ZnO单量子阱和耦合......
摘要：近年来，宽禁带纤锌矿结构半导体如ZnO、GaN、AlN及其合金等在微电子和光电子器件中的广泛应用，已成为半导体材料领域的研究热点，......
用变分法讨论了异质界面上中性施主D0的能量随垂直于界面的磁场的变化情况,计算得到此结构中D0中心的基态能量和束缚能.在此基础上......
采用赝原胞模型计算讨论纤锌矿InxGa1-xN／GaN混晶性质；基于宏观介电连续模型的传递矩阵方法研究任意层纤锌矿量子阱中的界面声子，得出......
本文在连续介电模型基础上，讨论了量子方阱中界面声子的问题，得到了光学声子模的电场分量和电位移分量，以及相应的色散关系。......
采用Ｈａｇａ方法，对量子阱中极化子的有效质量和自陷能进行了研究。考虑到量子阱中电子波函数的束缚和界面声子的影响，计算了不同支声子与电......
计及电子－声子耦合计算了局域在极性－极性半导体异质结上的激子的结合能，得到了两支界面光学声子模对结合能的贡献．结果表明：对于重空穴......
利用变分法研究了抛物量子阱中束缚极化子的极化势、基态能量和能量移动,讨论了抛物量子阱中体纵光学(LO)声子和界面纵光学(IO)声......
本文讨论了界面磁极化了自陷能的温度依赖性。...
介绍了对半导体超晶格中宏观和微观两种界面声子研究的最新结果，深入讨论了这些新结果的物理意义，以及有待进一步研究的问题 。......
用变分法研究半导体量子阱中束缚极化子结构能，在计算中包括了界面声子和体声子的影响。给出了束缚极化子基态能量和结合能随阱宽变......
在弱磁场条件下研究有限量子阱中磁性极化子特性。能级计算中包括了４支界面声子、定域体声子和势垒体声子。同时，考虑了导带非抛物性......
采用LLP中间耦合方法，对抛物量子阱中极化子能量和电子—声子相互作用对极化子能量的影响进行了研究。计算中不仅考虑了电子与局域L......
