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界面态参数相关论文

用于电路模拟的4H-SiC MOSFET高温沟道电子迁移率模型

提出了适用于电路模拟的4H-SiC n-MOSFET高温沟道电子迁移率模型.在新模型中,引入了横向有效电场和表面粗糙散射的温度依赖性,电子......

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4H-SIC N-MOSFET 阈值电压界面态参数高温迁移率 4H-SiC n-MOSFET threshold voltage interface sta

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