N-MOSFET相关论文
提出了一种新的基于电荷泵技术和直流电流法的改进方法 ,用于提取LDDn MOSFET沟道区与漏区的界面陷阱产生 .这种方法对于初始样品......
研究了DC应力n-MOSFET热载流子退化的Sfγ噪声参量.提出了用噪声参数和Sfγ表征高、中、低三种栅应力下n-MOSFET抗热载流子损伤能......
设计了一组测试结构用来探讨狗骨(dogbone)结构有源区对n-MOSFET性能的影响因素。测试结构和测量数据基于40 nm工艺技术,通过改变......
基于弛豫锗硅衬底上生长双轴应变硅技术、离子注入工艺以及选择性腐蚀方法,制备了8英寸(1英寸=2.54 cm)双轴张应变的绝缘体上应变......
Hot carriers injection (HCI) tests for ultra-short channel n-MOSFET devices were studied. The experimental data of short......
对氧化层厚度为 4和 5 nm的 n- MOSFETs进行了沟道热载流子应力加速寿命实验 ,研究了饱和漏电流在热载流子应力下的退化 .在饱和漏......
通过考虑迁移率和阈值电压随温度的变化关系,模拟分析了4H-SiCn-MOSFET高温下的电学特性,模拟结果与实验有较好的符合.并进一步讨......
对氧化层厚度为4和5nm的n-MOSFETs进行了沟道热载流子应力加速寿命实验，研究了饱和漏电流在热载流子应力下的退化。在饱和漏电流退......
研究了低能量背面Ar^+轰击对n沟MOSFET低频噪声的影响。用低能量（550eV）的氩离子束轰击n沟MOSFET芯片的背面，能改善其饱和区和线性区......
研究了DC应力n-MOSFET热载流子退化的Sfγ噪声参量.提出了用噪声参数和Sfγ表征高、中、低三种栅应力下n-MOSFET抗热载流子损伤能......
研究了DC应力n-MOSFET热载流子退化的Sfγ噪声参量.提出了用噪声参数和Sfγ表征高、中、低三种栅应力下n-MOSFET抗热载流子损伤能......
飞兆半导体公司日前推出具有组合性能优势的SO-8封装的80V N沟道MOSFET FDS3572，它能在DC／DC转换器初级边和同步整流开关电源次级边......
用低能量氩离子束轰击芯片背面，能改善以热氮化和快速热氮化ＳｉＯｘＮｙ为栅介质的ｎ沟的ＭＯＳＦＥＴ的特性，结果表明，在能量为５５０ｅＶ和束流密度为０．５ｍＡ／ｃｍ＾２时，随着轰击时间的增......
Melexis公司推出了具有嵌入式闪存以及CPU的MLX81150直流电机控制器，可用于汽车的大电流应用。高度集成的MLX81150与少量几个高功率......
提出了适用于电路模拟的4H-SiC n-MOSFET高温沟道电子迁移率模型.在新模型中,引入了横向有效电场和表面粗糙散射的温度依赖性,电子......
