用真空共蒸发法制备了CuxTe(1≤x≤2)薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)及原子力显微镜(AFM)等表征手段分析了薄膜......

用真空共蒸发法制备了CuxTe（1≤x≤2）薄膜,并通过X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）及原子力显微镜（AFM）等表征手段分析了薄膜的结构特......

用真空共蒸发法沉积了ＺｎＴｅ和ＺｎＴｅ：Ｃｕ多晶薄膜，研究了Ｃｕ含量对薄膜结构和电学性能的影响。发现刚沉积的ＺｎＴｅ薄膜和轻掺杂的ＺｎＴｅ：Ｃｕ薄膜的结构均为高度（１１１）择优取向......