在玻璃衬底上通过瞬间蒸发法沉积了厚度为50—400nm的N型Bi：Te2，5Se0.5热电薄膜，沉积温度为473K。采用犯D、EDXA和FESEM技术分别对薄......

采用瞬间蒸发技术在温度为473 K的玻璃基体上沉积了厚度为800 nm的N型Bi2Te2.7Se0.3热电薄膜,并在373 K～573 K进行1小时的真空退火......

采用瞬间蒸发技术沉积了N型Bi2Te2.85Se0.15热电薄膜,沉积的薄膜厚度在50~400nm范围之间,并在473K进行1小时的真空退火处理。利用X......