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据美国《纽约时报》１９９９年１月１９日报到：日本发明家中村秀二研制成功了新一代短波激光器，他的成就很可能会促进高清晰度数字视盘、高分辨率激......
ZnO是一种重要的宽禁带半导体材料,室温下带隙宽3.37eV,激子结合能高达60meV,在短波激光器、太阳能电池、压电材料、发光照明材料......
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