磷化铟高电子迁移率晶体管相关论文
为研究磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)外延结构材料的抗电子辐照加固设计的效果,本文采用气态源分子束外延法制备了系列InP H......
在毫米波段,InP基器件由于其具有高频、高功率、低噪声及抗辐射等特点,成为人们的首选,尤其适用于空间应用。InP HEMT和InP HBT已......
磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)具有高电子迁移率、优良的噪声性能和良好的抗辐射特性等优点,非常适合制作低噪声放大器,现在......
