辐射加固相关论文
延迟锁相环中的压控延迟线是对单粒子事件(single event,SE)最敏感的子电路之一,其主要包括偏置电路和压控延时单元.利用双指数电......
为研究磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)外延结构材料的抗电子辐照加固设计的效果,本文采用气态源分子束外延法制备了系列InP H......
介绍了辐射环境下影响双极型模拟集成电路可靠性的主要因素,揭示了双极型模拟集成电路抗辐射加固研究工作的重要性和紧迫性。通过对......
本文首先简要介绍硅微电子工业的发展状态、限制及对策。为了保持硅微电子工业的继续发展,主要的对策是利用新的结构材料以及新的器......
为解决空间应用的延迟锁相环中压控延迟线易受单粒子扰动问题,提出了一种加固的压控延迟线结构。在分析了传统压控延时单元的单粒......
介绍了当前世界上体硅和SOI材料及其器件辐射加固技术的发展现状,并介绍了主要的辐射加固CMOS IC的研制现状。
The current devel......
全耗尽型绝缘体上硅(FDSOI)器件作为一种新型的器件结构,凭借优良的抗辐射性能、低压低功耗等优势,越来越受到集成电路行业内的广......
工艺尺寸的缩减及供电电压的下降,使得节点电容及节点存储的电荷都变小。因此,较小的错误电荷就能使节点的逻辑状态发生变化。由于......
本文对注N、注F的SIMOX/NMOSFET器件的抗辐射特性进行了研究,发现两者都能减少埋氧层及其界面的空穴陷阱,对辐射加固有所改善,特别......
期刊
本文根据RHX36、RHX37等IC的抗核加固器件,以抗中子和γ射线为主,采取提高IC设计余量,使电路增益在较宽的范围内都不致于影响IC的......
本文探讨了降低线性集成稳压电源的功耗和提高它们的抗辐射能力的技术途径。介绍了一种新型稳压器电路,以低功耗电流放大器为其基......
在纳米锁存器中,由电荷共享效应导致的多节点翻转(MNU)正急剧增加,成为主要的可靠性问题之一.尽管现有的辐射加固锁存器能够对MNU......
期刊
论文对空间辐射环境、辐射效应以及辐射对星载计算机的影响进行了介绍,结合星载计算机的功能特点对其所采取的点屏蔽、容差设计、......
综述了微机电系统(MEMS)加速度计辐照效应与辐照机理国内外现状,阐释了其加固技术研究的必要性.介绍了不同类型MEMS加速度计的辐射......
本文阐述了电路辐射加固设计的基本原理,分析了光耦隔离反馈方式DC/DC转换器的电离辐射效应,研究了光耦反馈辐射加固电路在抗辐射......
本文简要地介绍了系统用压电石英晶体振荡器中子辐照试验原理、方法和主要结果。重点给出了不同生产厂生产的同批次器件抗中子辐射......
辐照加固CZ硅单晶受高能粒子辐射,由于辐照缺陷的产生,使期电阻率相对于其原始值有一定的偏离,经氮气气氛、650~700℃热处理,其电阻率可以其本恢......
随着中国核电工业的发展,应用电视进入核电配套使用领域,而耐辐射摄像机则成为应用中的一个瓶颈.航天事业的飞速发展,也对视频观测......
全耗尽SOI器件除了具有SOI器件工作速度快,功耗低,集成密度高,能抑制短沟道和闩锁效应等优点,还有很好的抗击单粒子和剂量率的能力,在航......
学位
近几年来,FPGA已经转变为数字系统的核心并且其市场份额持续增长。首先,相对于ASIC而言,FPGA能够减少研发成本和缩短上市周期。其次,目......
从Xilinx公司1984年推出第一款FPGA芯片开始,FPGA已经广泛地被应用于数字电路系统的设计,其占有的市场份额持续增长。相对于专用集成......
学位
近几年来,FPGA已经转变为数字系统的核心并且其市场份额持续增长。与ASIC相比,FPGA具有研发周期短、制造成本低等优势。目前FPGA的价......
学位
研究探索半导体器件电路电离辐射损伤效应和机理,提高其抗辐射水平是近年国内外微电子学领域十分重视的课题之一.抗辐射电子学已逐......
空间辐射对电子系统的损伤是航天设备发生故障的重要因素.A/D转换器是航天电子系统的关键器件之一,其抗辐射性能将直接影响航天设......
在空间和核辐射环境下,电离总剂量辐射(TID)效应严重影响采用商用CMOS工艺的SRAM的可靠性和寿命。针对SRAM,设计了四种TID加固的存......
文章从电荷耦合器件的基本工作原理出发,探讨了CCD地γ电离辐射效应,着重分析了表面损伤效应及其对CCD各结构的影响,提出了CCD抗γ总剂量辐射加......
利用Muller_C单元,设计一种异步保存及互锁存储单元结构,该结构采用状态锁存机制和增加节点电容方法,能有效防止单粒子翻转效应的......
介绍了电子元器件与电路总剂量辐射效应中可能遇到的各种辐射源及吸收剂量测量问题.辐射环境包括空间辐射环境、核爆炸辐射环境及......
本文从实验结果出发,评论了国产市售和加固CMOS电路抗γ总剂量的辐射特性。介绍了几种工艺CMOS电路阈电压、静态功耗电流、输入输......
研究了一种核探测机器人控制系统设计方案。该方案在辐射加固方面进行了优化,重点描述了电路的耐辐射设计。......
进行了一款辐射加固SRAM基VS1000 FPGA的设计与验证.该芯片包含196个逻辑模块、56个IO模块、若干布线通道模块及编程电路模块等.每......
基于0.18μm CMOS工艺开发了浅槽隔离(STI)场区抗总剂量辐射加固技术,采用离子注入技术使 STI/衬底界面处的 P 型硅反型阈值提高,从而......
研究了基于0.5μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的动态阈值MOS(DTMOS)晶体管的电流-电压特性曲线。与常规CMOS工艺PNP晶体管特性......
分别采用3Me V和10Me V的质子对Ga N基HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行辐照.实验发现:低注量辐照引起了体材料载流......
基于0.35μm CMOS工艺,研究了辐射条件下,单粒子瞬态效应对差分放大器的影响。经过仿真分析发现:差分放大器中偏置电路输出节点对单粒......
提出了两个抗单粒子翻转(SEU)的锁存器电路SEUT—A和SEUT—B。SEU的免疫性是通过将数据存放在不同的节点以及电路的恢复机制达到的。......
本文设计了一种不需闪烁体或增感屏,直接对X射线进行探测成像的线阵图像传感器,对其电荷收集进行了理论分析,设计了辐射加固的光敏元......
本文研究了制作JFET/SOS(蓝宝石上外延硅结型场效应晶体管)的方法,采用扩用形成栅极p^+n浅结以及复合注入的方法形成导电沟道,在不同的工艺条件下可......
对由抗辐射加固与非加固工艺生成的Si/SiO2系统进行了60Co辐照前后的界面结构分析。实验结果表明,这两类Si-SiO2在硅的二氧化硅态......
随着集成电路制造工艺尺寸不断减小、集成度不断提高,集成电路在太空环境应用中更容易受到单粒子辐照效应的影响,可靠性问题越发严......
设计了一款抗辐射自偏置锁相环(PLL),对PLL电路中关键逻辑进行单粒子效应分析,找出敏感节点,再对这些节点进行加固设计。该PLL电路......
从光纤陀螺空间应用的角度出发,利用^60Co辐照源模拟空间辐照,对光纤陀螺中的主要部件保偏光纤环进行了不同剂量率的辐照实验,得到了......
为准确评估结构异常复杂的航天器内部遭遇的辐射剂量,本文将直线近似原理和ProE工程软件相结合,自主开发了一种新型的航天器三维屏......
对SOI技术的发展情况进行了概述。在此基础上,提出了新形势下SOI技术的发展思路。为了充分发挥SOI技术的优势,主要的思路是对影响......
基于0.18μm CMOS工艺开发了抗总剂量辐射加固技术,制备的1.8 V NMOS器件常态性能良好,器件在500 krad(Si)剂量点时,阈值电压与关态......
高能物理实验是探索和研究物质构成与粒子相互作用的重要基础物理实验,其探测器前端的海量信息传输与抗辐照要求对高速数据传输链......
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