离子束溅射技术相关论文
1987年 11月上旬,由兰州物理研究所研制的 DSJ-4型多功能双离子束加工机和直线型局部真空电子束焊接装置,通过了部级技术鉴定,为......
采用离子束溅射技术,通过改变Ge的沉积量,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品.利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌......
采用离子束溅射技术制备了单层和双层Ge量子点,通过原子力显微镜对比了不同Si隔离层厚度和不同掩埋量子点密度情况下表层量子点的......
利用传统、简易的离子束溅射技术,在不同Si单晶衬底温度条件(650,700和750℃)下,自组织生长了一系列Ge/Si量子点材料。分别利......
采用离子束溅射技术和热氧化工艺,对预先制备的ZnO纳米线表面进行纳米CuO修饰,研究了不同溅射工艺条件下对形成的CuO/ZnO纳米线异......
本文利用反应离子束溅射技术制备WO_3薄膜,在衬底温度为室温时,溅射制备的薄膜经电子束(?)时,说明它是无定形的。在电化学过程中,......
本文研究了采用离子束溅射技术制备的 NiFe 薄膜及层状结构 NiFe/Cr/NiFe 薄膜的磁电阻特性与膜厚的关系。用四探针法测量薄膜的磁......
应用离子束溅射技术制备了纳米颗粒铜膜,并在此基础上对其光谱特性进行了研究。结果表明,在特定波长出现了与连续薄膜不同的反常光吸......
采用离子束溅射技术,在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si/Ge多层膜样品.通过Raman光谱和X射线小角衍射对薄膜进行了表征和分析,发现......
在温度为400℃下,采用离子束溅射技术在Si(100)衬底上沉积Si薄膜.利用Raman光谱对不同束流下生长的Si薄膜进行分析.结果表明:随着......
本文围绕相位延迟膜主要做了三方面的工作:设计与制备了外反射式相位延迟膜;理论分析了全内反射式相位延迟膜在光线平行棱镜底部和垂......
目前国内外的真空离子镀膜控制软件,都不具有重构功能,导致设备的功能有限,也不能任意修改镀膜程序,且自动化程度也不高;针对这种......
采用低能离子束溅射技术制备了不同厚度的的Ni-Cr合金薄膜,并对128nm厚的Ni-Cr合金薄膜进行了快速热处理.用小角度X射线衍射,扫描......
采用离子束溅射技术制备不同Pt/Ru比PtRu合金纳米载体薄膜材料。研究了薄膜中形成PtRu合金的结构特点和组分差异。结果表明该薄膜材......
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利用离子束溅射技术制备了Ta/CoFe/Al2O3/NiFe磁性隧道结,研究了它的磁化曲线、磁电阻特性、伏安特性,发现它具有明显的巨磁电阻效......
为获得高性能紫外激光薄膜元件,急需研制紫外高反射吸收薄膜,实现吸收损耗的精确测量。本文采用离子束溅射技术,通过调控氧气流量......
Si薄膜在可见光和近红外波段具有一定的吸收特性,可用于宽带吸收薄膜的制备。采用离子束溅射技术,在熔融石英基底上制备了不同沉积......