立方相GAN相关论文
本文研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在GaAs(001)衬底上生长的立方相GaN(c-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀特性,并和生长在蓝......
对在GaAs (0 0 1)衬底上用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的GaN薄膜的湿法腐蚀特性进行了研究 .所用腐蚀液包括HCl、H3PO4 、......
利用光学薄膜原理 ,计算了采用晶片键合技术来提高以 Ga As为衬底的立方相 Ga N的出光效率的理论可行性 .以 Ni为粘附层 ,Ag为反射......
对在GaAs (001) 衬底上用金属有机物气相外延(MOVPE)方法生长的GaN薄膜的湿法腐蚀特性进行了研究.所用腐蚀液包括HCl、H3PO4、KOH......
利用光学薄膜原理，计算了采用晶片键合技术来提高以GaAs为衬底的立方相GaN的出光效率的理论可行性，以Ni为粘附层，Ag为反射层的Ni/Ag/A......
尝试用侧向外延（ELOG）方法来降低立方相GaN中的层错密度，侧向外延是在SiO2/GaN/GaAs图形衬底上进行的，对生长所得的立方相GaN外延层用......
通过 TEM截面像和平面像的观察 ,对于用低压金属有机化合物气相外延 (LP MOVPE)法在 Ga As(0 0 1 )衬底上制备的立方相 Ga N外延层......
