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cubic-GaN相关论文
用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度
尝试用侧向外延(ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度,侧向外延是在SiO2/GaN/GaAs图形衬底上进行的,对生长所得的立方相GaN外延层用......
期刊
层错密度
立方相GAN
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MOVPE
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GaN/GaAs(001)与GaN/Al2O3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较
研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在GaAs(001)衬底上生长的立方相GaN(c-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀特性,并和生长在蓝宝石(0001......
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MOVPE
光辅助湿法
金属有机物气相外延
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cubic-GaN
MOVPE
photoassisted wet etching
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