等离子体杂质相关论文
一、会议地点 美国巴尔底摩市(马里兰州) 二、会议时间 一九八六年十月廿七日至卅一日 三、发起与组织单位 真空科学技术与应用国......
在室温下分别采用射频磁控溅射和离子束辅助沉积技术沉积Ｃ－ＳｉＣ薄膜，并进行了相同注量和相同能量的Ｈｅ￣＋辐照试验。分析结果表明：两种不同方式制......
ＨＬ－１Ｍ装置采用硅化技术，大大改善了第一壁条件，提高了等离子体约束性能。对ＨＬ－１Ｍ装置的硅化涂层性能以及对等离子体杂质、热辐射和再循环进行了......
【美国《核新闻》1982年6月第108页报道】本文概述了在过去12个月中美国的一些主要聚变装置所做的工作。阿贡研究所它被能源部定......
首次用三道光纤探测器,伸入HL-1装置内真空室,采集活动石墨孔栏处等离子体光信号,用22m石英长光纤传输光信号至控制室进行观测。通......
本文叙述用掠入射谱仪在HL-1装置上所做的真空紫外光谱测量。根据杂质谱线的相对强度变化,说明可动石墨孔栏和蒸钛技术对控制等离......
本文叙述了用真空紫外光谱方法观测HL-1装置常规、器壁碳化和抽气孔栏三种放电条件下等离子体杂质的变化以及某些杂质的特性。
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本文介绍了ＨＬ－１Ｍ装置等离子体杂质真空紫外辐射观测的初步结果。用类Ｌｉ离子谱线强度比法估计出Ｔｅ≈４００ｅＶ。镀膜后的ＣＥＭ探测器的灵敏度提高。杂质对装......
介绍 Ｈ Ｌ－ １ Ｍ 托卡马克装置的壁处理技术。使用氦辉光放电清洗清除装置杂质和降低壁中氢含量，壁硼化和硅化技术以及原位沉积膜的原位清......
用ＳｉＨ４与Ｈｅ混合气体辉光放电和真空室原位蒸锂并借助Ｈｅ辉光放电的等离子体气相沉积法，对ＨＬ－１Ｍ装置的内壁，分别进行硅化和锂涂覆。这些处理进一步降......
在欧姆放电和低混杂波电流驱动条件下，应用激光吹气技术注入金属杂质，用真空紫外谱仪测量了杂质线的辐射，给出了ＨＬ－１Ｍ 装置欧姆等离子体和......
低环径比（ＬＡＲ）概念作为一种聚变动力堆设计方案，它的许多关键问题已用总体设计程序进行了评估计算。Ａ＝１．４，κ＝３，βＴ＝６２％和自持电流为８７％的平衡设计的物理基......
ＨＴ－７超导托卡马克采用原位气相沉积法在其内真空室第一壁沉积一层含硼膜。在与第一壁同样径向位置处放了几个不锈钢和石墨样品，以取样第......
本文介绍了托卡马克装置等离子体-表面相互作用研究现状和发展方向。总结了表面相互作用的主要研究方面,其中包括可离子体边界层物......
本文介绍了基于托卡马克等离子体被动光谱诊断获得杂质密度的方法。通过被动光谱诊断测量获得杂质线辐射的空间多道弦积分强度分布......
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杂质行为研究是磁约束聚变研究中的一个重要课题,而等离子体杂质水平可以由有效电荷数(Zeff)这一关键参数定量地来衡量.而合适的壁......
自HL-IM装置采用硅化技术，大大改善了第一壁条件，提高了等离子体约束性能。该文就HL-IM装置运行中氧对硅化涂层性能以及对等离子体杂......
分别用１０％ＳｉＨ４＋９０％Ｈｅ辉光放电和真空室原位蒸锂并借助Ｈｅ辉光放电的等离子体气相沉积法对Ｈ－１Ｍ装置的内壁进行了硅化和锂涂复，进一步降低了装置硼化后的杂......
自ＨＬ－１Ｍ装置采用硅化技术，大大改善了第一壁条件，提高了等离子体约束性能，本文对ＨＬ－１Ｍ装置的硅化涂层性能以及对等离子体杂质，热辐射和再循环进行......
用ＳｉＨ４与Ｈｅ混合气体辉光放电和真空室原位蒸锂并借助Ｈｅ辉放放电的等离子体气相沉积法，对ＨＬ－１Ｍ装置的内壁，分别进行硅化和锂涂覆。......
ＨＬ－１Ｍ装置采用硅化技术，大大改善了第一壁条件，提高了等离子体约束性能，对ＨＬ－１Ｍ装置的硅化涂层性能以及对等离子体杂质，热辐射和再循环进行了研究......
在东方超环（EAST）装置中,由于大量锂化壁处理的使用,切向可见光摄像机拍摄到等离子体边界通常存在一条由锂（Li）杂质形成的绿色发光带.......
