VUV光谱相关论文
采用助溶剂缓冷法生长出KTb(PO)的晶体。测量了它的真空紫外光谱，观测到位于260，250，193 nm的吸收带为Tb的4f～5d自旋禁戒跃迁；位于210 n......
基于椭球面光栅理论,提出柱面光栅概念,并对其衍射特性和集光本领进行研究。结果表明;在掠入射条件下凹柱面光栅具有与四球面光栅......
聚变等离子体中杂质含量过高会引起芯部辐射急剧增加,降低能量约束甚至引发等离子体不稳定性甚至破裂。如何控制等离子体中杂质含......
本文叙述了用真空紫外光谱方法观测HL-1装置常规、器壁碳化和抽气孔栏三种放电条件下等离子体杂质的变化以及某些杂质的特性。
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该论文主要内容分为以下六个部分:在第一章,我们综述了所有三价镧系离子的光谱.同时,讨论了镧系元素在一些重要领域的应用,例如激......
PDP(等离子平板显示器)是一种最有前途的大屏幕壁挂式彩电,而它需要VUV激发下的高效荧光粉,同时由于VUV荧光粉也是无汞荧光灯的需......
等离子体平板显示(PDP)是目前高清晰度、大屏幕平板显示中的佼佼者,使挂壁彩电成为现实,但其关键部分之一—PDP荧光粉的发展却存在......
The (Y,Gd)BO 3∶Eu phosphor was synthesized by solid state reaction. The UV spectra showed that in a certain range of ......
采用 X 射线吸收近边结构(XANES)谱对多晶 Lu2 SiO5∶ Ce(LSO∶ Ce)发光粉体中 Ce 元素的化合价状态进行了表征,结果表明：在空气下......
介绍了改进后的兰州重离子束箔ＶＵＶ光谱学实验装置、数据获取和单色仪协调控制系统。给出了利用改进后的系统在ＨＩＲＦＬ上由ＳＦＣ提供的４７ＭｅＶ的Ｎｅ＾４＋离子打碳箔......
采用X射线吸收近边结构(XANES)谱对多晶Lu2SiO5∶Ce(LSO∶Ce)发光粉体中Ce元素的化合价状态进行了表征,结果表明:在空气下煅烧后得......
文中叙述了ＨＬ－１Ｍ托卡马克硼化真空紫外光谱区杂质辐射的观测结果。分析得出：硼化有效地控制等离子体中的杂质，其中，氧杂质减少约６５％，碳杂质减少......
采用高温固相法制备了NaCaPO4：Dy^3＋系列样品，并在紫外（UV）及真空紫外（VUV）区域研究了系列样品的发光性能．紫外激发光谱显示在350nm处有最......
基于椭球面光栅理论，提出柱面光栅概念，并对其衍射特性和集光本领进行研究。结果表明：在掠人射条件下凹柱面光栅具有与凹球面光栅相似......
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本文叙述了用真空紫外光谱方法观测HL-1装置常规、器壁碳化和抽气孔栏三种放电条件下等离子体杂质的变化以及某些杂质的特性。......
