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根据加压改进布里奇曼法，采用“二次配料”工艺成功地生长了直径40mm的大直径HgCdTe（组分x≈0.20）晶体。采用加压技术，平衡部分石英安瓶内的高汞蒸汽压，有效地避免了石英安瓶的爆裂；采用“二次配料”工艺，大大降低了生长温度；合理选择温度梯度和生长速度，获得了有较好结晶性和组分均匀性的HgCdTe晶体，分析表明：HdCdTe晶片 的载流子浓度n77≤4×10^14cm^-3，迁移率μ77≥1×10^5cm^2/(V·s），少数载流子寿命值τ≥2.0μs，80K时简单的性能