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本文提出了一种新型的内置ＦＲ／ＪＴＥ横向ＤＭＯＳ结构，并对其进行了耐压 与ＲＥＳＵＲＦ上媲美的击穿电压，并且工艺简单，受工艺参数波动的影响较小，相对于内场限环结......