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期刊论文
LDMOS晶体管新型器件结构的耐压分析
LDMOS晶体管新型器件结构的耐压分析
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wy83902
【摘 要】
:
本文提出了一种新型的内置FR/JTE横向DMOS结构,并对其进行了耐压 与RESURF上媲美的击穿电压,并且工艺简单,受工艺参数波动的影响较小,相对于内场限环结构,而耐压高且导通电阻低,因而不失为一种较为
【作 者】
:
唐本奇
罗晋生
耿斌
李国政
【机 构】
:
西安交通大学,西北核技术研究所
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1999年9期
【关键词】
:
LDMOS晶体管
结构
LDMOST
耐压分析
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本文提出了一种新型的内置FR/JTE横向DMOS结构,并对其进行了耐压 与RESURF上媲美的击穿电压,并且工艺简单,受工艺参数波动的影响较小,相对于内场限环结构,而耐压高且导通电阻低,因而不失为一种较为实用的横向功率器件耐压的新途径。
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