半导体薄膜材料相关论文
选用Au／Bi合金熔体在低温下实现了硅薄膜的外延生长，外延温度400℃～500℃，采用Sn源内的饱和硅来保护衬底的方法，以防止升温饱和过程中衬......
PECVD温度控制系统的精确性和稳定性对获得结构稳定和性能优良的半导体薄膜材料非常重要.本文基于西门子S7-300可编程控制器(P......
本工作提出了一种测量耗尽层电容和界面态电容的新方法,即C-A法：电容——面积法。它可以分别用于测量半导体薄膜材料的杂质浓度......
光透明氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO)为半导体薄膜材料,其具有在可以见光范围内表现投射的性能,同时在微波频段表现......
在能源与环境成为人类社会必须面对的两大基本问题的今天，利用太阳能可以非常理想地解决环境和能源的问题，所以研发太阳电池成为各国......
有机-无机钙钛矿型杂化半导体材料结合了有机和无机材料优点，并在分子水平上自组装形成复合材料，具有独特的光、电、磁等性质，在许多......
ZnO作为一种典型的宽禁带半导体氧化物,其制备方法简单,形貌结构可控;同时具有电子迁移率高、比表面积大,物理化学性质稳定等特点,......
随着人类社会的不断发展,人类文明在不断繁荣的同时,也出现了很多不得不面对的问题。当今社会的环境污染以及即将到来的能源危机已......
半导体薄膜材料是发展微电子技术的先导条件和制备微电子器件的物质基础，本文提出了五个重要转变，并以此为主线着重讨论和分析了半导......
掺锰硅基磁性半导体薄膜材料，锰在硅中的含量为1-10mol％。其厚度为1～10000nm。掺锰硅基磁性半导体薄膜材料的制法包括以下步骤：采用硅......
详细分析了讨论用三源真空蒸发法制取ＣｕＩｎＳｅ２薄膜过程中，源温，衬底温度及Ｃｕ，Ｉｎ原子比值对薄膜性能的影响。......
选用Ａｕ／Ｂｉ合金熔体在低温下实现了硅薄膜的外延生长，外延温度４００℃～５００℃，采用Ｓｎ源内的饱和硅来保护衬底的方法，以防止升温饱和过程中衬底的氧化，运用......
近日，美国芝加哥大学研究人员在著名学术期刊《自然》上报道了一种创新性方法，有望制备出仅有几个原子层厚度的半导体器件，为科学家和......
劳伦斯伯克利国家实验室的研究人员发现一种新的方法，可克服传统固态太阳能电池带隙电压的限制，使半导体薄膜材料可产生光伏效应。该......
针对准确、快速检测半导体薄膜样品电阻率的功能需求,设计了一种具有较高自动化程度的测试系统。该系统可针对小尺寸薄膜样品进行......
随着能源枯竭和能源大量使用带来的环境问题日益严峻，寻找新型清洁能源已经成为全球热点问题，太阳能的利用代表着未来能源发展的主要......
β-FeSi2是一种具有(准)直接带隙的半导体材料,禁带宽度为0.85 eV,在1300 nm光吸收系数高达105 cm-1,比晶硅材料高两个数量级以上,......
