功率器件相关论文
氮化镓(GaN)具有高临界击穿电场、高电子饱和漂移速度,并且Al GaN/GaN异质结能形成高迁移率高密度的二维电子气(2DEG),故在高频、高效......
学位
故障诊断技术对电机驱动系统的安全稳定与高效运行至关重要,是近年来电机驱动领域的研究热点之一。本文旨在对电机驱动系统故障诊断......
功率器件是现代电力电子技术的核心,分析和解决功率器件热可靠性问题是提高功率器件可靠性的重要课题。文中围绕功率器件在高温和温......
针对近年来出现的新型宽禁带半导体材料和器件,介绍了SiC,GaN,Ga2O3材料和器件重离子辐照效应的一些研究成果:SiC材料对重离子辐照不......
介绍了一种应用于高速动车组充电机的VIENNA整流器,全部采用碳化硅(SiC)功率器件。与传统的硅(Si)不控整流器相比,基于SiC的VIENNA整流......
沟槽栅FS IGBT(Field Stop Insulated Gate Bipolar Transistor)凭借导通饱和压降低、沟道密度高、栅极易驱动、正向阻断电压高等优......
Ga N作为典型的宽禁带半导体材料,具有高耐温、高耐击穿电压以及高电子迁移速率的优势,封装技术对于充分发挥Ga N的以上优势并保障工......
粗铝丝键合具备过流大、键合灵活的优点,被广泛应用于VDMOS等大功率器件的封装。但功率器件工作时发热量大,粗铝丝/金层键合系统在长......
期刊
功率器件是宇航电源的重要组成部分,在整个航天技术快速发展的背景下,现有的宇航电源已无法满足小型化、轻量化、高效率和超大功率化......
作为功率半导体器件(简称功率器件)的新型热管理手段,主动热控制方法在近年来获得广泛关注。与传统热管理策略不同,主动热控制方法能......
随着5G时代的到来,以硅(Si)和砷化镓(Ga As)材料为代表的第一、二代半导体,已经无法满足当前大功率场景应用的需求,而以氮化镓(GaN)为首......
与传统VDMOS、沟槽MOS器件不同,功率器件屏蔽栅沟槽(SGT)MOSFET在沟槽中栅极的下方加入了多晶硅屏蔽栅极,并且与源极的电位相同,在垂......
4H碳化硅(4H-SiC)作为一种宽禁带半导体材料,因具有高热导率、高电子饱和速率、高临界电场等优秀的物理和电气特性,使得4H-SiC成为高......
3ω法作为一种表征固体薄膜、液体、气体等材料热导率的通用性技术,由于其测量成本低、采集速度快和样品制备工艺相对简单等独特的......
以GaAs、InP和GaN为代表的三五族化合物材料具有比硅材料更大的禁带宽度和电子迁移率等特性,满足现代电子技术对高温、高频、大功......
21世纪以来,电力电子技术已得到了长久的发展,在电力系统、新能源、信息、远洋运输、太空探索等领域有着较为广泛的应用。然而,由......
学位
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)器件是一种以多子为载流子的器件,具有开关速度快、开关损耗小、输入阻抗高、工......
功率半导体作为半导体行业中稳定的一部分,其发展十分重要。而其中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件,作为结合了功率金属氧化物半导体场......
在国民经济高速发展以及国家产业政策的推动下,我国的IGBT技术和产业得到了飞速的发展。目前国产IGBT主流产品分布在600-1200V电压......
传统的功率器件一直是用纵向的低掺杂漂移层作为耐压支持层,但近年来,一种称为“超结”的CoolMOS器件逐渐流行,这种“超结”结构很......
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)具有开态导通电流大、关态阻断电压高、开关速度快、能量损耗小等优点,被广泛应用于电能转换领域......
IGBT具有GTR和MOSFET各自的优势特点,具有MOSFET的输入阻抗高、其驱动电路简单、开关速度快、驱动功率小等特点。在直流电压为600V......
学位
功率循环测试被称为考核功率器件封装可靠性最重要的实验,尤其是SiC MOSFET功率器件的快速发展,是近几年的研究热点。与其他可靠性测......
本文在分析了我国高校思政课程存在的问题的基础上,提出案例式思政元素融入专业课程章节设计、主题式思政背景贯穿实践活动的《功......
碳化硅(SiC)器件的新特性和移动应用的功率密度要求给功率器件的封装技术提出了新的挑战.现有功率器件的封装技术主要是在硅基的绝......
随着科学技术的发展,特别是航天技术、核技术和军事技术的发展,对高性能、低体量、可以应用于各种恶劣的高温强辐射环境下的电力电......
随着第三代半导体的发展,工业界对于功率器件的开关频率,电压和功率有更高的要求,这也意味着未来功率器件的封装需要承受更高的工......
碳化硅(SiC)作为代表性的第三代宽禁带半导体材料,以其优良的物理化学性质,在大功率、高温、抗辐照等国防和民用领域具有广泛的应用......
随着太阳能光伏发电、风力发电等新能源技术的发展和应用,对功率变换器功能和可靠性提出了更高的需求,例如传统的DC-DC变换器已经......
学位
氧化镓(β-Ga2O3)是一种超宽禁带氧化物半导体材料,其相关研究起源于日本.21世纪初,日本东北大学利用浮区法获得了多晶向的高质量......
通过功率器件发热原理的分析和散热计算,以及赛米控水冷散热器先进技术的介绍,探讨了功率器件散热器的选择和设计原则,摸索了解决......
使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在2英寸半绝缘6H碳化硅衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。2英寸HEMT外......
本文阐述了GaAs PHEMT器件的一种主要失效机理——栅金属下沉效应,介绍了栅金属下沉的研究现状和常见研究方法,详细探讨了高温加速寿......
本文讨论了在硅功率器件制造工艺中液相钝化工艺对硅功率器件一些性能的影响因素.并就这些因素提出了实用的工艺措施.避免和减少这......
本文基于国产2英寸AlGaN/GaN材料,对2英寸AlGaN/GaN HEMT工艺进行了研究,成功地开发出成套2英寸AlGaN/GaN HEMT功率器件工艺.其关......
本文对基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN HEMTs功率器件自激振荡现象进行了分析,器件的反向增益对器件的稳定性影响较大,稳定性的提高需......
变频技术的发展始终与电力电子元器件的发展密不可分,从大功率二极管到晶闸管器件,再从IGBT到IGCT,每一次功率器件的飞跃都会带动......
本文通过对功率器件在大信号状态下测试的研究分析,结合负载牵引法测试提出一种基于虚拟仪器技术的通用灵活的解决途径,实现了功率......
瞄准单片功率集成电路对BCD工艺的特殊需求,开展了BCD工艺兼容技术研究,解决了其关键技术问题,初步建立了 BCD工艺,制作出NPN管的B......
集顺半导体是一家工艺能力最高为0.35um 6英寸的集成电路晶圆加工高科技企业,其主要产品为半导体集成电路芯片及分立器件,生产设备来......
文章介绍了功率半导体器件产业现状及发展机遇,阐述了中航微电子功率半导体发展情况,并就国家功率半导体器件产业的发展进行了思考。......
本文介绍功率器件加速老化及故障预测实验平台的搭建方案.分析了进行功率循环、热循环、负载变化等功率器件加速老化实验所需的实......
本文综述了基于宇航应用的大功率抗辐照VDMOS器件的研究背景及基本理论。并对国内外最新的研究进展进行了调查和介绍,最后总结了大......
混沌SPWM是基于混沌理论提出的一种改进型正弦脉宽调制方法,其在抑制变换器电磁干扰上有显著效果,然而混沌SPWM对变换器中功率开关......