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RF MEMS器件集成及其功能材料应用研究
由于在低阻Si衬底上制作微波无源器件的损耗极大,且衬底电阻率越低,损耗越大,且所制作的Si器件的工作频率受到了限制,因此几乎无法......
学位
射频/微波
多孔硅
氧化多孔硅
共面波导
插入损耗
聚酰亚胺要
微波单片集成电路
衬底
纳机电系统
绝缘体上的硅
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