纳米线晶体管相关论文
场效应晶体管是集成电路的基础逻辑单元,目前芯片中的晶体管的制备方法来主要采用自上而下的加工技术。为了提升芯片的集成度,晶体......
依据摩尔定律，CMOS晶体管的特征尺寸呈周期性缩减。目前高性能微处理器已经实现了14/16nm制程的量产，然而对于体硅鳍型场效应晶体管(......
依照摩尔定律集成电路晶体管的数目成倍增加，高密度的晶体管在工作时会产生大量功耗，散发的热量严重影响了芯片的性能。具有高电子迁......
在市场需求的驱动下，集成电路在过去的几十年里得到迅猛发展。然而随着传统的MOS晶体管尺寸的进一步缩小，MOS器件面临着串联寄生电阻......
纳米线晶体管因为优良的性能,有望成为代替平面半导体器件的新一代器件,因此得到了越来越多人的重视。其中硅纳米线晶体管因为可以......
美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管，表现出明显的量子限制效应．纳米线的直径越小，电流越强。该技术有......
几十年来,计算机芯片制造商一直致力于减小硅晶体管的尺寸以提高芯片的计算能力。目前,最小硅晶体管的宽度只有14nm,但是,晶体管小......
综述了纳电子学和神经形态芯片进入新世纪后所处发展阶段以及近两年的最新进展。在纳电子领域,综述并分析了当今集成电路的发展现......
