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背势垒缓冲层相关论文
背势垒缓冲层AlGaN/GaN HEMT耐压机理和新结构
GaN材料具有禁带宽度宽、击穿电场大以及电子饱和速度高等优良的物理特性,并且在AlGaN/GaN异质结界面处会形成高浓度、高电子迁移率......
学位
AlGaN/GaN HEMT
泄漏电流
击穿电压
背势垒缓冲层
极化掺杂
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