极化掺杂相关论文
针对AlGaN/GaN HEM T器件存在的GaN缓冲层漏电和栅极漏端处电场集中效应导致器件耐压性能不高,无法完全发挥GaN材料高击穿电压优势......
P型掺杂一直是Ⅲ氮化物系列光电子器件关键技术,基于AlInN材料的光电子器件也是如此。目前虽已有几个课题组开展了相关的研究。但......
对缓冲层中极化掺杂的GaN基异质结器件(HFET)的击穿特性做了仿真研究.首先针对Al组分渐变的AlxGa1-xN缓冲层分析计算了其中三维空......
当前,如何显著减小纳米集成电路功耗已成为国内外研究和关注的焦点问题,众多新型低功耗半导体器件脱颖而出,而隧穿场效应晶体管(TF......
针对传统AlGaN/GaN HFET击穿电压远低于理论值,以及阈值电压与开态电流之间存在制约关系的问题,提出一种对称极化掺杂增强型高压Ga......
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发，研究了AlGaN／GaN量子阱电子气密度随Al组份比、势垒层厚度和栅压的变化，比较了能带带阶和极化电......
短波长(200nm-290nm)紫外光源有着广阔应用需求,比如水和空气净化、杀菌处理、医学仪器、高密度光学数据存储及通信系统等领域。II......
Ⅲ族氮化物是宽禁带直接带隙半导体材料,具有良好的导热性能,高电子饱和速度,物理化学性能稳定等优点,是近年来国内外重点研究的新......
GaN材料具有禁带宽度宽、击穿电场大以及电子饱和速度高等优良的物理特性，并且在AlGaN/GaN异质结界面处会形成高浓度、高电子迁移率......
