AlGaN基深紫外发光二极管(ultraviolet light emitting diodes,UV-LEDs)在消毒、医疗、水与空气净化、高密度存储等方面有着广阔的......

InAs/GaSb异质结，包括量子阱与超晶格，因为其独特的电子能带结构和物性，使得它自提出开始就受到广泛关注。由于InAs/GaSb异质结特殊的......

GaN基宽禁带半导体已成为高频大功率电子器件及高效率发光器件最重要的材料之一，近二十年来得到了快速的发展。但是，目前为止应用最......

GaN基半导体材料因其在高亮度发光器件、大功率微波器件以及高压电力电子器件等方面的应用优势，近二十年来在学术研究和产业应用方......

以GaN为代表的第三代(宽禁带)半导体材料因其禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、耐腐蚀和抗辐照等优势,特别是GaN异质结构具有高......