脉冲准分子激光沉积相关论文
利用VO掺杂的WO为靶材,采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术(PLD),在非晶玻璃补底及硅单晶上沉积了WOx薄膜.利用X-射线衍射(XRD)......
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为了有效阻止锆钛酸铅镧（PLZT）与半导体界面发生反应和互扩散，根据锆钛酸铅镧和钛酸铋（BIT）各自的铁电性能，采用脉冲准分子激光淀积（PLD）方......
采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术,在不同条件下,在透明导电衬底SnO2:In2O)3(IIO)及Si(111)单晶衬底上沉积了非晶WOx薄膜采用......
采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术，在Si(111)单晶衬底上沉积了多晶V2O5薄膜，经300 ℃以上退火处理得到了具有高c-轴取向生长的V......
为了有效阻止锫钛酸铅镧（PLZT）与半导体界面发生反应和互扩散，根据锆钛酸铅镧和钛酸铋（BIT）各自的铁电性能，提出了一种新的设计思想——......
采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术,在Si(111)单晶衬底上沉积了WOx薄膜.采用X射线衍射(XRD)、喇曼光谱(RS)、付里叶红外光谱(F......
利用氟化氪(KrF)脉冲准分子激光烧蚀沉积(PLD)技术,通过对激光等离子体的粒子成分以及空间分布的诊断,实现了等离子体成分的选择性......
