C轴取向WO(V)纳米晶薄膜的PLD沉积及相关问题研究

来源 :第四届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xinliping
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利用V<,2>O<,5>掺杂的WO<,3>为靶材,采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术(PLD),在非晶玻璃补底及硅单晶上沉积了WOx薄膜.利用X-射线衍射(XRD)、喇曼光谱(RS)等分析手段,研究了V<,2>O<,5>掺杂的WO<,3>靶材及不同条件下沉积样品的结构特性,实验结果表明:氧分压和沉积温度是决定薄膜结构和成份的主要参数.在沉积温度400℃及20Pa氧分压下得到了C轴取向生长的三斜相纳米晶WO<,3>(V)薄膜.本文还研究了WO<,3>(V)薄膜的温阻特性、伏安特性和气敏性能.实验发现激光沉积(PLD)WO<,3>(V)薄膜具有较好的线性伏安特性,对NOx气体具有一定的气敏灵敏度.
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