脉冲离子束相关论文
离子注入用于半导体器件和大规模集成电路的生产中,显示出这种工艺的许多优越性。七十年代初期,哈威尔实验室等研究部门开始进行......
一、引言 强流毫微秒脉冲离子束注入金属样品过程中,由于离子混合、骤热急冷以及瞬态冲击压力波的作用,使金属表面的形貌、微观结......
在TEMP-6型强流脉冲离子束装置上,利用能量密度0.1-0.5 J/cm~2,脉宽100 ns,能量100 keV的C~+和H~+混合离子束对TiH_2膜进行逐次轰......
本文针对强流低能脉冲离子束测量要求,选择玻璃(SiO2)闪烁体为参考,介绍了无机闪烁体探测强流低能离子的原理。基于蒙卡和有限元......
分析了偏压电荷收集器测量强流脉冲离子束的原理和影响测量准确度的主要因素;研制了13路偏压离子电荷收集器阵列,利用该装置测量了......
靶温对无冷却装置的密封式中子发生器的靶寿命有重要影响。为对脉冲离子束作用下靶进行热-力耦合分析,采用以时-空二维高斯轴对称分......
在高紧张的搏动的离子横梁(HIPIB ) 照耀用超声的思考系数光谱学(URCS ) 被调查前后,血浆的毛孔, microcracks 和密度喷洒了 Cr2O3 ......
结合脉冲中子管的结构特征,建立了一套基于Al_2O_3单晶闪烁屏和CCD相机的中子管氘离子束束流截面测量系统。闪烁屏直径为15mm,厚度......
分析了脉冲离子轰击靶膜和衬底的热效应,在能量较低的情形下,离子轰击处理为靶膜表面热流输入。采用有限元程序,对能量为600 keV、束......
为了研究强流脉冲离子束(HIPIB)辐照靶材产生烧蚀等离子体向真空中喷发的机制,建立了与HIPIB烧蚀靶材形状相关的沿变截面管道流动的......
采用一维无碰撞的动力学鞘层模型计算了脉冲等离子体在恒压引出时的等离子体鞘层厚度变化,分别对短脉冲和长脉冲放电时的离子源发......
论述了离子束作用下固体表面次级电子产生的机制,介绍了特种真空器件中次级电子抑制的各种方法及其优缺点,提出了脉冲离子束作用下靶......
为了满足兰州近代物理研究所重离子束治癌装置的研究需要,我们设计并建造了激光离子源实验平台,主要目的是研究激光离子源产生脉冲离......
靶是中子发生器的关键部件,其中子产额与靶性能的稳定性密切相关,探索离子束对靶性能的影响因素及其影响程度是提高强流中子发生器......
作者利用中国第一台金属蒸汽真空弧离子源(MEVVA源)引出的钼离子对HI3钢进行了不同束流密度下的离子注入。根据此源的特点,提出了......
离子-分子碰撞反应是一类重要的化学过程,是星际空间、大气电离层、燃烧火焰和等离子体中的物质演化的关键步骤之一,其碰撞截面远......
为认识脉冲离子束作用下金属氚化物的氦释放行为,建立了脉冲离子束作用下金属氚化物氦释放测量系统。利用标准体积气体取样装置,采......
镁合金是目前可用的最轻的金属结构材料。镁合金具有很多优良的特性:低密度、高的比强度和比刚度、优良的机械加工性能和铸造性、高......
分析了偏压法拉第筒测量强流脉冲离子束的原理和影响测量准确度的主要因素,研制了一种结构简单的偏压离子法拉第筒阵列,利用该装置测......