自发辐射速率相关论文
将InAs/GaAs量子点样品薄膜置于覆盖有直径为50?nm的金(Au)纳米颗粒的硅衬底上,?可以调控量子点激子的自发辐射速率.?实验发现,?当......
本文利用量子电动理论计算了发光原子分别处在单界面平行介质板和双界面平行介质板中原子自发辐射的特性,并首次将已成功应用于原......
基于时间相关单光子计数技术，研究了金纳米颗粒对CdSe/ZnS量子点荧光自发辐射的影响。制备了与金纳米颗粒有效耦合的量子点样品，测量......
高亮度的激光钠信标有利于提高自适应光学波前探测的准确性和灵敏度，但是在激光与钠原子作用的过程中，反冲和下抽运限制了钠原子激发......
近年来,利用金属纳米结构表面等离激元共振提高半导体材料的发光效率取得了重要进展,但是相关结构体系面临着加工技术复杂、重复性......
近年来，由于光子晶体微尺度信息传输和光子调控的潜在应用价值，微纳米发光体的自发辐射调控引起了非常广泛的研究兴趣。本文主要研究......
以具有三量子阱有源区的GaAs/Al0.15Ga0.85As量子级联激光器中的子带间;声学声子辐射散射为研究对象,从理论上研究了三量子阱有源......
介质中发光中心的自发辐射速率与发光中心处的微观局域电场和介质中的宏观电场的比值相关,从而对环境介质的折射率存在一定的依赖......
宽禁带（3.37eV）半导体ZnO具有高达60meV的激子束缚能，易在高温下获得激子发射，是发展紫外光发射器件的理想候选材料。目前已成为继GaN......
宽禁带(3.37 e V)半导体材料Zn O的激子束缚能高达60 me V,很容易在高温下实现激子发射。此外,因其储量丰富,制备方法多样等特点,......
