有源区相关论文
为了进一步提升蓝光激光器的性能,基于实验样品结构,详细研究了不同结构的p型波导层和有源区的组合对InGaN基边发射蓝光激光器性能的......
作为GaN基发光器件最常用的有源区结构,InGaN/GaN多量子阱结构一直以来都倍受科研工作者们的关注。为了提高InGaN/GaN多量子阱发光......
设计并制作了条宽100μm,腔长1 mm的有源区无铝高功率SCH-SQW激光器,室温连续输出功率达1 W,阈值电流密度为460A/cm2,外微分量子效......
平顶脉冲磁场(Flat-top Pulsed Magnetic Field,FTPMF)综合了稳态磁场稳定度高和脉冲磁场强度高的优势,是脉冲磁场技术的重要发展......
本文报道了脊形波导结构GaAs/AlGaAs量子阱激光器的研究成果.我们采用湿法化学腐蚀方法,通过对器件结构参数的优化,制备了性能优越的脊形波导GaAs/AlGaAs量子......
从光场限制因子周期性变化这一概念出发,指出在纯折射率耦合分布反馈激光器中存在着增益耦合作用,这种作用在阈值附近较小,但在输出功......
用来表示红外投射器辐射输出的等效黑体温度形式上可定义为产生与红外投射器相同信号辐射亮度的黑体目标所设定的温度。给出的解析......
本文报道了Er3+光纤放大器中,1480nm泵浦光对Er3+光纤高效率注入方式的研究结果。由于采用末端为类球面做透镜的锥形光纤耦合头,使得1480nm泵浦二极管激光......
本文采用1.3μmHe-Ne激光或InGaAsP/InP半导体激光作探针,实时、无损地测量硅半导体器件中的自由载流子浓度的变化.从理论上分析了器件内自由载流子浓度变......
本文从理论上分析了外部光反馈对强耦合外腔半导体激光器特性的影响,对相干外部光反馈和非相干外部光反馈两种情形的分析结果均表明......
集成电路隔离技术概述(续Ⅰ)宋湘云编译6 全凹槽氧化物LOCOS工艺全凹槽氧化物LOCOS工艺已经在双极IC制造中得到广泛应用。在生长衬垫氧化物和淀积......
本文分析了具有强反馈外腔的半导体激光器线宽特性,给出了强反馈外腔半导体激光器的线宽压窄率表示式.分析结果表明:该公式与数值解的......
第九届激光与电光学会年会1996年11月18~21日在美国波士顿举行。本次会议涉及的范围较宽,现仅就半导体光电子器件方面的情况作些介......
本文叙述S1240数字程控电话交换机专用的双交换端口(DUSP)的结构与功能。采用D/E型MOS制造技术。电路典型工作频率为4MHz,功耗为750mW,......
用P型InP衬底新月型(PBC)结构制备1.48μm大功率激光器,与单模光纤耦合输出功率大于40mW.
The 1.48μm high power laser was fabricated by the p-typ......
集成电路复杂性日益提高,条宽控制越来越细,意味着要采用比光学显微镜更高分辨率的手段来观察与芯片功能休戚相关的微电路形貌。随着......
采用P型InP衬底新月型(PBC)结构制备了1.48μm大功率激光器,该激光器与单模光纤耦合输出功率大于40mW。
A 1.48μm high power laser was fabricated ......
报导了由选择氧化法研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器,DBR中的AlAs经选择氧化形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层,器件的最低阈值电流为3.8mA,输出功......
基于作者提出的改进应力分布力学模型得到了计算半导体异质结多层结构应力分布的公式.针对带缓冲层GaAlAs可见光激光器计算得到的有源层应......
在普通双沟平面掩埋异质结(DC-PBH)激光器的基础上,采用质子轰击的技术,制作了一种新型的选择性质子轰击DC-PBH激光器。这种新型的激光器结构与以前......
本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的其本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄光束输出的光集成器件......
本文描述了一种等平面工艺和金属剥离技术在低电容、高可靠晶体管生产中的实际应用.通过采用这两种工艺,不仅使得晶体管输出电容减小......
在衬底表面制作超晶格缓冲层可以有效地掩埋体材料的缺陷,使阈值电流大幅度降低,光功率成倍增长。所研制出的量子阱激光器室温脉冲平......
在MBE生长“DBR型结构性材料”的过程中,由于生长中的多层结构干涉效应,使高温黑体辐射谱呈现振荡现象,利用此现象辅以计算机数据拟合,可以实......
利用MBE生长的GaAs/AlxGa1-xAs折射率渐变-分别限制-多量子阱材料(GRIN-SCH-MQW),经液相外延二次掩埋生长,制备了阈值最低达2.5mA(腔面未镀膜),光功率室温连续输出可达15mW/面的半导体......
本文报道了采用多晶硅电阻和扩散电阻组合而成的复合镇流电阻对硅微波功率器件进行二次发射极镇流的实验结果.
This paper reports......
针对较常用的InGaAs(P)分别限制应变单量子阱激光器,给出了为得到最大净增益的优化设计参数。对于激射波长为1.55μm的无应变激光器,最佳的光限制层......
报道了一种新型的具有InGaAs量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器.采用钨丝作为掩膜,通过两次垂直交叉H+质子轰击工艺制备器件,初步实现了室......
本文介绍了MOCVD生长的高质量GaAs和AlAs材料以及(Al)GaAs/AlGaAs分别限制单量于阱激光器.GaAs材料的77K迁移率为122,700cm2/(V·s),GaAs/AlAs具有均匀陡变的界面.激光器的最大光输出功率为4W,平均光功......
本文国内首次报道了LP-MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阱结构的研制过程及其材料的高精度X-ray双晶摇摆衍射曲线和......
本文利用蒙特卡罗模拟方法计算了转移电子光电阴极的光电子输运特性,其中包括阴极的内部量子效率,电子的能量分布函数,谷间转移效率,同......
使用DC-PBH型激光二极管芯片,设计制作了实用化封装形式的宽带半导体激光器组件,在理论上和实验上研究了组件的封装模型、小信号频率调制特......
本文主要对光控微波场效应管振荡器进行理论分析,并讨论了实验结果。有两种不同的控制方法:一种是对器件有源区的直接光控,另一种是引......
采用LP-MOCVD和LPE相结合,成功地研制出了吸收型部分增益耦合MQW-DFB激光器.扫描显微镜照片显示了清晰的被掩埋的吸收型增益耦合光栅,表明光栅掩埋生长前......
本文提出了把大家熟悉的LOCOS(Si的局部氧化)技术扩展到SiC的可行性。为得到一种SiC器件集成的最佳化等平面隔离技术,已在结构上鉴定了两种隔离工艺......
本文研究了增益波导垂直腔面发射激光器的横向及纵向模式特性。采用二维延伸抛物型复折射率波导结构从理论上分析了增益波导垂直腔......
从理论上分析了强耦合外腔半导体激光器的稳定性。在外腔半导体激光器速率方程分析中引人了强反偏因子近似,通过增益速率-频率平面中......
本文从理论上分析计算并给出了应变多量子阱激光器阱数与腔长的优化设计结果.考虑到多生子阱阱区的注入不均匀性,提出了一种新的分析......
本文报道了由选择氧化和选择腐蚀法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射半导体激光器,DBR中的AlAS经选择氧化后形成的氧化层作为有源区的横向电流限制......
本文用耦合速率方程,从理论上分析研究了超辐射发光二极管(SLD)的功率输出特性。主要讨论了腔面反射率对其功率输出特性的影响。研究结果......