自旋转移矩效应相关论文
自旋转移矩磁随机存储器（Spin-Transfer Torque Magnetoresistance random access memory,STT-MRAM）有望代替传统存储器,其高效,非易......
采用宏自旋模型和Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski(LLGS)方程讨论了垂直磁化隧道结的磁化翻转,结果表明:(1)减小隧道结自由层......
近年用电流驱动的自旋转移矩磁随机存储器(STT-MRAM)和自旋轨道矩磁随机存储器(SOT-MRAM)改变了传统的磁场驱动磁化翻转的方式,在......
自旋转移矩效应提供了一种无需外加磁场、仅依靠电流来调控磁性薄膜磁化方向的新方法，可以应用在磁性随机存储器、高频微波振荡器-......
随着信息技术的发展和人们对存储技术要求的不断提高，研发新型的存储器件就顺其自然地成为了当今科研的一个热点课题。如何制备出满......
自旋电子学是近年来研究的热点之一,其在工业上有着广泛的应用。自1996年理论预言了自旋转移矩效应(STT)的存在后,其很快被实验所......
自旋转移矩纳米振荡器(STNO)主要依据磁电阻效应(MR)和自旋转移矩效应(STT)两种效应来工作的。自旋转移矩效应中自旋电子能够有效......
自第一代磁随机存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)问世以来,越来越多的科研人员开始着手磁随机存储器的研究。......
