隧道结相关论文
硅基电路板上容纳的晶体管数量每隔18个月增加一倍,微处理器性能也将提升一倍,这便是大家熟知的摩尔定律。然而随着晶体管电路接近......
作为基础的电子元器件,隧道结的发现在理论和实验上均有极其重要价值。隧道结以量子力学中的隧道效应为工作原理,在超导电子学、自......
隧道结(TJ)是高压垂直多光伏电池(HVVMPC)的关键技术之一.开展了基于掺硅和掺碲AlGaAs/GaAs TJ制备的HVVMPC的性能对比研究.构建测......
经过14年的发展,压电电子学在人机界面、智能微机电系统、纳米机器人和传感网络系统等领域的研究已经取得了重要进展,并展现出巨大......
高功率脉冲半导体激光器可以广泛应用于激光雷达、医疗以及车载防撞系统中.传统的半导体激光器主要通过提高驱动电流来获得更高光......
采用脉冲激光沉积镀膜的方法,在钛酸锶单晶基片上制备了具有自发生成的有序微裂纹结构的LaCaMnO(LCMO)薄膜。通过制备工艺的优化,获......
利用扫描探针显微镜诱导氧化加工金属纳米氧化线,可以构成金属-绝缘体-金属纳米级隧道结,进而可以在其基础上加工半导体纳米器件.......
工作在太赫兹波段的超导隧道结混频器具有接近量子极限的探测灵敏度,是亚毫米波段射电天文研究的重要探测技术。中频带宽的扩展对于......
我们的前期工作[1]实现了大面积(>1cm2)反式平面钙钛矿电池>15%的高效率。本文基于暗态下的J-V曲线,首次报道了MAPbI3基反式平面钙钛......
作为宽禁带直接带隙半导体,Ⅲ族氮化物材料体系的禁带宽度覆盖了从紫外光波段到可见波段再到近红外波段,广泛应用于固态照明器件及......
随着小型化、便携式电子产品的普及,对高密度非易失性存储器的市场需求越来越大。目前,主流FLASH 存储器性能的进一步提高面临困......
(排序不分先后)基于等离激元增强拉曼散射的单分子化学成像中国科学技术大学侯建国院士研究团队(doi:10.1038/nature12151)在高分......
本文报道了Au/a-Ge双层膜的分形晶化现象,并首次测量了An/a-Ge双层膜分形晶化的V-I特性.实验结果表明:分形晶化后的An/a-Ge双层膜具有反常的......
设计并研制出直流电流增益为842、交流电流增益为1080的高增益挂横向MIS隧道晶体管。测量了器件的电学特性和hFE的温度特性,发现孩......
在金属/绝缘层/金属(Metal/Insulator/Metal,MIM)隧道结发光中,粗糙度与表面等离电磁场量子(SurfacePlasmonPolariton,SPP)的耦合起着非常重要的作用.本文利用原子力显微镜摄得发光MIM隧道结粗糙表面......
弹道电子发射显微术(BEEM)能够对金属/半导体等界面体系进行直接、实时及无损的探测,并且具有纳米级空间分辨率.文章介绍了BEEM的基本原理、关键......
本文基于电容耦合多个纳米隧道结串联结构的半经典模型,研究了三结单电子晶体管的基本方程,分析了其I-V特性,并对三结与两结单电子晶体管......
本文分析了电子器件发展的两次变革,比较了真空电子器件、微电子器件和纳电子器件的结构与特性,给出了它们在理论、材料和技术上的主......
本文在单电子器件半经典的双隧道结模型的基础上,采用遗传算法通过对主方程的数值求解,对Au纳米粒子组装体系的库仑台阶现象进行了拟合......
本文在单电子器件半经典的双隧道结模型的基础上 ,通过对主主程的数值求解 ,对 Au纳米粒子组装体系的库仑台阶现象进行了拟合 .单......
报道了通过隧道结将衬底的导电类型从 n型转变到 p型 ,从而可以利用 n型 Ga P作为以 n型 Ga As为衬底的 Al Ga In P发光二极管的电......
前 言近二十年来,约瑟夫逊效应无论在理论与实践上都得到很大发展,形成了一门崭新的科学──超导电子学,随着工艺水平的提高和改进......
德国研究人员制造出首支室温下连续波(CW)激发的电泵辅GaSb垂直腔面发射激光器(VCSEL)。该器件可有效地辨别吸收区域为2.3mm的气体......
报道了一种新型塑料封装隧道结脉冲半导体激光器。采用MOCVD生长了隧道结串联双叠层激光器材料。激光器芯片为标准宽发射区结构。......
设计并研制了由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)构成的垂直......
工作在太赫兹波段的超导隧道结混频器具有接近量子极限的探测灵敏度,是亚毫米波段射电天文研究的重要探测技术。中频带宽的扩展对......
超导Josephson隧道结是实现超导量子比特的基本元件.本文介绍了一种利用电子束曝光技术和电子束斜蒸发技术相结合的方法来制备铝超......
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采用两段式被动锁模激光器结构,利用隧道结级联两组量子阱有源区,实现了一种工作在近红外波段的单片集成大功率量子阱被动锁模激光......
表面等离激元是一种存在于金属(或掺杂半导体)-介质界面的电磁极化和振荡现象,可以显著增强纳米尺度光与物质的相互作用,在波导、......
采用多靶离子束溅射镀膜技术制备Fe(200℃退火)/Al2O3/Fe多层膜隧道结样品,研究了隧道结样品的巨磁电阻效应,在室温下获得了5.89%......
1986年高温超导体的发现激发了科学界,使之爆发出一种激情,并成为全世界报刊的头条新闻。从计算机芯片到无轮火车,都是超导体未来......
Pb薄膜隧道结比较容易制作,而且具有不少优良的特性,因此得到广泛的应用,但是它的缺点是经不起室温-4.2K的热循环。近年来对Pb结......
本文介绍了P_b-I_n-A_u合金Josephson薄膜隧道结热循环的稳定机理及其制作技术,报导了一种改进了的制作P_b-In-Au合金结的方法。这......
提出了约瑟夫逊隧道结与辐照微波耦合的一种理论。认为微波能量是从结两端同时进入的,隧道结与辐照微波之间的耦合是磁场耦合,得到......
在超导隧道效应研究中,铌隧道结的研究一直受到人们的重视,我们利用射频溅射法制备铌膜,然后把此铌膜光刻制成铌下电极,并在溅射设......
在普通高真空(~1×10~(-5)乇)的条件下用电子来蒸发制作出了高质量的Nb超导薄膜,超导转变温度Tc可以达到9.25K,接近大块(?)Vb的Tc值......
用超导隧道结进行声子研究,是六十年代以来逐步深入发展的研究课题。本文介绍了为这项研究所开展的工作:在真空室内采用机械转换掩......
非弹性电子隧道效应光谱(IETS)是一种新的光谱技术。1966年,Jaklevic和Lambe发现了非弹性电子隧道效应,并首先用于测量有机化合物......
Ba_(1-x)K_xBiO_3(BKBO)氧化物超导体的发现,引起了人们浓厚的兴趣.高温超导体,如YBCO,呈各向异性的电学性质,相干长度ζ较短(ab)......
本文报道了Au/aGe双层膜的分形晶化现象,测量了Au/aGe双层膜在分形晶化后的VI特性。实验结果表明:分形晶化后的Au/aGe双层膜具有反常的非线性VI特......